一、W25Q64简介
1、W25Qxx中的xx是不同的数字，表示了这个芯片不同的存储容量；
2、存储器分为易失性与非易失性，主要区别是存储的数据是否是掉电不丢失：
易失性存储器：SRAM、DRAM；
非易失性存储器：E2PROM、Flash；
二、硬件电路
WP:写保护，可配合内部寄存器配置，可实现硬件的写保护，低电平写保护，高电平不保护；
HOLD：数据保持，如果在SPI过程中，芯片需要干其他事就可以拉低此引脚，芯片释放总线，但芯片时序不会终止，而是记住当前状态。在需要继续通信时，HOLD置回高电平，然后继续之前的时序。相当于SPI总线进了一次中断。
三、W25Q64框图
一整个存储空间首先划分为若干块（Block）（8M分为128块），对于每一个块又划分为若干扇区（Sector）（1块分为16扇区），对于整个空间，会划分为很多页，每页256字节（1扇区分为16页）
Status Register：状态寄存器，与忙状态，写保护，读保护有关；
SPI Command & Control Logic：SPI控制逻辑，负责执行指令、地址锁存、读写数据等；
Column Decode And 256-Byte Page Buffer：256字节的页缓存（256字节的RAM存储器），会对一次性写入的数据量产生限制。写入的数据会先放在缓存区，在时序结束后，芯片再将缓存区的数据复制转移到对应的Flash里进行永久保存（在转移的过程中会置Status Register状态寄存器busy位为1）。因为Flash写入掉电不丢失的数据比较慢所以需要缓存区
四、Flash操作注意事项（掉电不丢失）
最小的擦除单元：一个扇区，也就是4096个字节 ；
最多写入一页的数据256字节：因为一个缓存区只有256字节；
五、Status Register状态寄存器
BUSY位：在写入数据，擦除数据，写状态寄存器指令时，该位置1，忽略进一步指令，除了读状态寄存器和擦除挂起指令；在写入数据，擦除数据，写状态寄存器指令结束后，该位置0。
写使能锁存位WEL：在执行写使能指令后，WEL置1，代表芯片可以进入写入操作；当设备写失能时，WEL位清0。在上电后，写失能，写入数据，擦除数据后WEL位都清0。
六、指令集
1、芯片ID
使用指令AB，90读ID就是16；使用9F来读就是4017；写程序的时候可以用来验证SPI是否可行。
2、SPI指令集
写使能、读状态寄存器1、页编程（即写数据）、按4kb的扇区擦除指令、读ID号、读取数据
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