本文介绍: 1、W25Qxx中的xx是不同的数字,表示了这个芯片不同的存储容量;2、存储器分为易失性与非易失性,主要区别是存储的数据是否是掉电不丢失:易失性存储器:SRAM、DRAM;非易失性存储器:E2PROM、Flash;

一、W25Q64简介

1、W25Qxx中的xx是不同的数字,表示了这个芯片不同的存储容量;

2、存储器分为易失性与非易失性,主要区别是存储的数据是否是掉电不丢失:

        易失性存储器:SRAM、DRAM;

        非易失性存储器:E2PROM、Flash;

二、硬件电路

WP:写保护,可配合内部寄存器配置,可实现硬件的写保护,低电平写保护,高电平不保护;

HOLD:数据保持,如果在SPI过程中,芯片需要干其他事就可以拉低此引脚,芯片释放总线,但芯片时序不会终止,而是记住当前状态。在需要继续通信时,HOLD置回高电平,然后继续之前的时序。相当于SPI总线进了一次中断。

三、W25Q64框图

一整个存储空间首先划分为若干块(Block)(8M分为128块),对于每一个块又划分为若干扇区(Sector)(1块分为16扇区),对于整个空间,会划分为很多页,每页256字节(1扇区分为16页)

Status Register:状态寄存器,与忙状态,写保护,读保护有关;

SPI Command & Control Logic:SPI控制逻辑,负责执行指令、地址锁存、读写数据等;

Column Decode And 256-Byte Page Buffer:256字节的页缓存(256字节的RAM存储器),会对一次性写入的数据量产生限制。写入的数据会先放在缓存区,在时序结束后,芯片再将缓存区的数据复制转移到对应的Flash里进行永久保存(在转移的过程中会置Status Register状态寄存器busy位为1)。因为Flash写入掉电不丢失的数据比较慢所以需要缓存区

四、Flash操作注意事项(掉电不丢失)

最小的擦除单元:一个扇区,也就是4096个字节 ;

最多写入一页的数据256字节:因为一个缓存区只有256字节;

五、Status Register状态寄存器

BUSY位:在写入数据,擦除数据,写状态寄存器指令时,该位置1,忽略进一步指令,除了读状态寄存器和擦除挂起指令;在写入数据,擦除数据,写状态寄存器指令结束后,该位置0。

写使能锁存位WEL:在执行写使能指令后,WEL置1,代表芯片可以进入写入操作;当设备写失能时,WEL位清0。在上电后,写失能,写入数据,擦除数据后WEL位都清0。

六、指令集

1、芯片ID

使用指令AB,90读ID就是16;使用9F来读就是4017;写程序的时候可以用来验证SPI是否可行。

2、SPI指令集

写使能、读状态寄存器1、页编程(即写数据)、按4kb的扇区擦除指令、读ID号、读取数据

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