MOS管的静电击穿问题

本文介绍: 上面我们说到一个点，也就是mos管的工作环境，在静电场较强的环境中，空气中的离子和电荷会较多，从而增大了增加静电的积累和放电的可能性，也就进一步增加了mos管受到静电损坏的风险。现在回到问题本身，mos管是一个ESD敏感器件，由于本身的高输入电阻，再加上栅-源极间的电容非常小，导致它极易受外界电磁场或静电的感应而带电。一般静电击穿有两种，一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路；MOS管的输入电阻指的是在栅源之间，当栅极电压变化时，源极电流的变化率。

MOS管输入电阻很高，为什么一遇到静电就不行了？

静电击穿：由于静电的积累导致电压超过了原本MOS的绝缘能力，导致电流突然增大的现象。

MOS管基础知识了解：

G极(gate)—栅极，不用说比较好认
S极(source)—源极，不论是P沟道还是N沟道，两根线相交的就是
D极(dr ain)—漏极，不论是P沟道还是N沟道，是单独引线的那边

一般静电击穿有两种，一是电压型，即栅极的薄氧化层发生击穿，形成针孔，使栅极和源极间短路，或者使栅极和漏极间短路；

二是功率型，即金属化薄膜铝条被熔断，造成栅极开路或者使源极开路。

MOS管的输入电阻指的是在栅源之间，当栅极电压变化时，源极电流的变化率。

MOS管的输入电阻通常很高，具有很高的绝缘性能，这意味只有极小的漏电极通过栅极。

现在回到问题本身，mos管是一个ESD敏感器件，由于本身的高输入电阻，再加上栅-源极间的电容非常小，导致它极易受外界电磁场或静电的感应而带电。当静电或外界电磁场作用于MOS管时，就会在极间电容上形成电荷，导致极间电容的电压升高。由于输入电阻很高，这些电荷无法通过输入端得到很好地泄露，于是电压在极间电容上积累，可能会引起静电击穿甚至有损坏MOS管的风险。

上面我们说到一个点，也就是m os管的工作环境，在静电场较强的环境中，空气中的离子和电荷会较多，从而增大了增加静电的积累和放电的可能性，也就进一步增加了m os管受到静电损坏的风险。为了保护mos管免受静电损坏，可以采取以下措施：第一，mos管的栅极接地，栅极接到一个固定的电位，避免其悬空；第二，并联电阻，并联一个电阻在Vgs之间，起到一个放电电阻，释放电荷的作用；第三，防止稳压二极管，在Vgs之间放置稳压二极管，受外部静电或或引起高压损坏的可能性。