本文介绍: 摘要 – 针对AlGaN/GaN HFET,提出了一种无拟合参数的物理解析模型。对于非饱和操作,建立了两个接入区和栅极下方I-V特性的非线性分析模型。所得方程通过边界处的电压和电流连续性连接在一起。证明了该模型与商业模拟器ATLAS的相应模拟之间的良好一致性。此外,所提出的模型与流行的HFET操作曲线拟合模型相比是有利的。索引术语 – HEMT,建模,电阻。
标题:A new physics–based compact model for AlGaN/GaN HFETs (IEEE MTT-S International Microwave Symposium)
摘要
摘要 – 针对AlGaN/GaN HFET,提出了一种无拟合参数的物理解析模型。对于非饱和操作,建立了两个接入区和栅极下方I-V特性的非线性分析模型。所得方程通过边界处的电压和电流连续性连接在一起。证明了该模型与商业模拟器ATLAS的相应模拟之间的良好一致性。此外,所提出的模型与流行的HFET操作曲线拟合模型相比是有利的。
索引术语 – HEMT,建模,电阻
文章研究了什么
这篇文章介绍了针对AlGaN/GaN HFET(高电子迁移率晶体管)的一种基于物理的紧凑模型。该模型针对非饱和工作区域和栅极下方的I-V特性进行了非线性分析建模,并通过电压和电流连续性在边界上将这些方程联系起来。研究结果表明,该模型与ATLAS商业模拟器进行的对比表现良好,并与流行的曲线拟合模型相比具有优势。该模型对于AlGaN/GaN HFET的性能预测在通信和雷达系统等应用中具有重要意义。
文章的创新点
提出了一种基于物理的分析模型:该模型是针对AlGaN/GaN HFET的物理特性进行建模,而不依赖于任何拟合参数。通过考虑通道物理分为三个区域,并利用电流和电压连续性条件将这些区域模型进行整合,从而得到了准确描述HFET的I-V特性的模型。
适用于非饱和操作:该模型主要针对非饱和工作区域,即在直流I-V曲线的拐点处终止的操作状态进行了建模。这种操作状态对于射频功率放大器负载线的上部左端点的高电流操作具有关键作用。该模型能够确定饱和操作中的漏极电流,并且在后续的论文中将进一步讨论饱和操作。
文章的研究方法
文章的结论
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